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為慶祝重慶大學(xué)建校90周年，電氣工程學(xué)院于2019年10月13日上午九點(diǎn)在六教117舉辦院士講壇，邀請(qǐng)曼徹斯特大學(xué)半導(dǎo)體材料與器件專業(yè)的Mohamed Missous教授為同學(xué)們做題為“Semiconductor Electronics in the 21th Century”的報(bào)告。本次講壇由院長(zhǎng)助理任洲洋老師主持。

Mohamed Missous教授的研究領(lǐng)域包括高速InP晶體管的分子束外延，低溫太赫茲材料和亞毫米波共振隧穿器件，其團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)期致力于研究基于量子力學(xué)的器件的可制造性和技術(shù)轉(zhuǎn)移，使得量子阱霍爾效應(yīng)（QWHE）傳感器、太赫茲傳感器以及10G和25G雪崩光電二極管（APD）和垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）等光子器件成功商業(yè)化。

       報(bào)告會(huì)上，Mohamed Missous教授從半導(dǎo)體電子學(xué)的產(chǎn)生，歷史和其未來(lái)發(fā)展三個(gè)方面展開(kāi)論述，用幽默風(fēng)趣的語(yǔ)言向大家講述了半導(dǎo)體電子學(xué)在過(guò)去70多年中的非凡崛起。1947年晶體管的發(fā)明開(kāi)創(chuàng)了固體電子學(xué)的新時(shí)代，此后為了追求體積更小、價(jià)格更低、可靠性更高、計(jì)算速度更快，集成電路應(yīng)運(yùn)而生。如今，各種電子設(shè)備已經(jīng)覆蓋了人類(lèi)生活的方方面面。展望未來(lái)，砷化鎵和磷化銦等化合物半導(dǎo)體元件，在5G通信、人工智能、機(jī)器人、無(wú)人駕駛等熱門(mén)研究領(lǐng)域，將會(huì)發(fā)揮更大的作用。